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SemiQ

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परिचय

SemiQ - ग्लोबल पावर टेक्नोलॉजीज ग्रुप, इंक। ("जीपीटीजी") 2007 में स्थापित एक एकीकृत विकास और विनिर्माण कंपनी है जो सिलिकॉन कार्बाइड (सीआईसी) प्रौद्योगिकियों के आधार पर उत्पादों को समर्पित है। ये उत्पाद भविष्य के वर्षों में बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स और ऊर्जा उद्योगों के लिए आधारभूत होंगे जहां कम लागत, अत्यधिक कुशल बिजली उत्पादन, रूपांतरण और संचरण के लिए उन्नत तकनीकों की आवश्यकता होती है।

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वर्ग
7
उत्पाद
373

असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद

GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

विवरण: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP1M006A070F

GP1M006A070F

विवरण: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GCMS020A120S1-E1

GCMS020A120S1-E1

विवरण: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M016A025FG

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विवरण: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA030A120MN-FD

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विवरण: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF120A060S1-D3

GSXF120A060S1-D3

विवरण: DIODE FAST REC 600V 120A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GCMS004A120S7B1

GCMS004A120S7B1

विवरण: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD050A004S1-D3

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M013A050FH

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHIS075A120T2P2

GHIS075A120T2P2

विवरण: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

विवरण: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D010A120A

GP2D010A120A

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GDP50P120B

GDP50P120B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHXS060A120S-D4

GHXS060A120S-D4

विवरण: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M003A080H

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

विवरण: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

विवरण: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D050A060B

GP2D050A060B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHXS015A120S-D1E

GHXS015A120S-D1E

विवरण: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D020A060U

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विवरण: DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D020A120B

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GDP15S120B

GDP15S120B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GCMS080A120B1H1

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विवरण: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M011A090NG

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विवरण: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D012A065C

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF120A120S1-D3

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विवरण: DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D030A060B

GP2D030A060B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD050A015S1-D3

GSXD050A015S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D030A120B

GP2D030A120B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHXS060A120S-D3

GHXS060A120S-D3

विवरण: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GCMS008A120B1B1

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विवरण: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M008A050CG

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M002A060CG

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF060A040S1-D3

GSXF060A040S1-D3

विवरण: DIODE FAST REC 400V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D003A065C

GP2D003A065C

विवरण: DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M005A050PH

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSID300A125S5C1

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विवरण: IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID300A120S5C1

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विवरण: IGBT MODULE 1200V 430A

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD100A018S1-D3

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GDP03S060C

GDP03S060C

विवरण: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

विवरण: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M009A050FSH

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M005A040CG

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विवरण: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP1M018A020CG

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विवरण: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSXF060A120S1-D3

GSXF060A120S1-D3

विवरण: DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GCMS080A120S1-E1

GCMS080A120S1-E1

विवरण: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

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