FJN3307RBU

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FJN3307RBU
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

FJN3307RBU.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

300mV @ 500µA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN - Pre-Biased
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-92-3
शृंखला

-
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

47 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

22 kOhms
पावर - मैक्स

300mW
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
आवृत्ति - संक्रमण

250MHz
विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

68 @ 5mA, 5V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

100nA (ICBO)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA

निम्नलिखित "FJN3307RBU" संबंधित उत्पाद हैं।

FJN3308RTA

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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