NSBC113EPDXV6T1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NSBC113EPDXV6T1
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

NSBC113EPDXV6T1.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

250mV @ 5mA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SOT-563
शृंखला

-
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)

1 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1)

1 kOhms
पावर - मैक्स

500mW
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

SOT-563, SOT-666
दुसरे नाम

NSBC113EPDXV6T1OS
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
आवृत्ति - संक्रमण

-
विस्तृत विवरण

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

3 @ 5mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

100mA
आधार भाग संख्या

NSBC1*

निम्नलिखित "NSBC113EPDXV6T1" संबंधित उत्पाद हैं।

NSBC114EDXV6T1G

विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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