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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AS4C64M8D1-5TINTR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.3 V ~ 2.7 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    66-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • घड़ी आवृत्ति
    200MHz
  • अभिगम समय
    700ps
AS4C64M8D3-12BINTR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

निर्माता: Alliance Memory, Inc.
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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C64M8D2-25BAN

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