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FESB8CT-E3/81

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FESB8CT-E3/81
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    950mV @ 8A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    150V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-263AB
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    35ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    53 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 150V 8A Surface Mount TO-263AB
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 150V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    8A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
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FESB8DTHE3/81

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

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FESB8CTHE3/81

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विवरण: DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 500V 16A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB

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