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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    7164S20DB
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    20ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.5 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    28-CerDip
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    28-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • दुसरे नाम
    IDT7164S20DB
    IDT7164S20DB-ND
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    64Kb (8K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 20ns 28-CerDip
  • अभिगम समय
    20ns
7164L45DB

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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7164S20YG

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7164S20TPG

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7164L70DB

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7164S20TDB

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7164S20TPGI

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7164S100DB

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7164S25DB

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7164L85DB

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7164L55TDB

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7164S25TPG

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विवरण: IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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7164L85TDB

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विवरण: IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP

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7164S20YGI8

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7164S25TDB

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7164L35TDB

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