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IS42S16100C1-6T-TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS42S16100C1-6T-TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    50-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    2 (1 Year)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Mb (1M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 50-TSOP II
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    5.5ns
IS42S16100C1-7BLI-TR

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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
स्टॉक में
IS42S16100C1-5T

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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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विवरण: IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA

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IS42S16100C1-6TL

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S16100C1-7BI

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