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IS61WV51216EDBLL-8BLI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS61WV51216EDBLL-8BLI
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IS61WV51216EDBLL-8BLI.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    8ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.4 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TFBGA (6x8)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    8Mb (512K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 8ns 48-TFBGA (6x8)
  • अभिगम समय
    8ns
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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61WV51216EEBLL-10BLI

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

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IS61WV51216EDBLL-8TLI

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

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IS61WV51216BLL-10TLI

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

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IS61WV51216EEBLL-10B2LI

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP2

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