International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4212PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFB4212PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRFB4212PBF.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220AB
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

72.5 mOhm @ 13A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

60W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3
दुसरे नाम

SP001555992
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

550pF @ 50V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

23nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 18A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

18A (Tc)

निम्नलिखित "IRFB4212PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRFB4310GPBF

विवरण: MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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