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RRE02VSM4STR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RRE02VSM4STR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 200mA
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    400V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TUMD2SM
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    2-SMD, Flat Lead
  • दुसरे नाम
    RRE02VSM4STRTR
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    150°C (Max)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 400V 200mA Surface Mount TUMD2SM
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1µA @ 400V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    200mA
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
RRE04EA6DFHTR

RRE04EA6DFHTR

विवरण: RECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RRE07VTM6SFHTR

RRE07VTM6SFHTR

विवरण: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
VS-SD500N45MSC

VS-SD500N45MSC

विवरण: MOD DIODE 560A 4500V B-PUK

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
RRE02VTM4SFHTR

RRE02VTM4SFHTR

विवरण: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RRE02VSM6STR

RRE02VSM6STR

विवरण: DIODE GP 600V 200MA TUMD2SM

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RRE02VS4SGTR

RRE02VS4SGTR

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 200MA TUMD2S

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RRE07VSM6STR

RRE07VSM6STR

विवरण: DIODE GP 600V 700MA TUMD2SM

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RRE04EA4DFHTR

RRE04EA4DFHTR

विवरण: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
1N3891R

1N3891R

विवरण: FAST RECOVERY RECTIFIER

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RRE02VTM6SFHTR

RRE02VTM6SFHTR

विवरण: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
GP10K-E3/73

GP10K-E3/73

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RRE02VS6SGTR

RRE02VS6SGTR

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 200MA TUMD2S

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
JAN1N6622U

JAN1N6622U

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
RRE07VSM4STR

RRE07VSM4STR

विवरण: DIODE GP 400V 700MA TUMD2SM

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
IRD3CH53DF6

IRD3CH53DF6

विवरण: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RA 13V

RA 13V

विवरण: DIODE SCHOTTKY 30V 2A AXIAL

निर्माता: Sanken Electric Co., Ltd.
स्टॉक में
RRE07VTM4SFHTR

RRE07VTM4SFHTR

विवरण: RECTIFIER DIODES (CORRESPONDS TO

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
RRE04EA4DTR

RRE04EA4DTR

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
SB3H100-E3/73

SB3H100-E3/73

विवरण: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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MBR0530T3

MBR0530T3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

निर्माता: ON Semiconductor
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