RS1G260MNTB

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विशेष विवरण

भाग संख्या

RS1G260MNTB

निर्माता / ब्रांड

LAPIS Technology

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

1.RS1G260MNTB.pdf
2.RS1G260MNTB.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 1mA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-HSOP

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

3.3 mOhm @ 26A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3W (Ta), 35W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerTDFN

दुसरे नाम

RS1G260MNTBCT

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

40 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2988pF @ 20V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

44nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V

विस्तृत विवरण

N-Channel 40V 26A (Ta) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

26A (Ta)

निम्नलिखित "RS1G260MNTB" संबंधित उत्पाद हैं।

RS1GFA

विवरण: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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