CSD19506KTT

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CSD19506KTT

निर्माता / ब्रांड

Luminary Micro/Texas Instruments

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप है

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.2V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DDPAK/TO-263-3

शृंखला

NexFET™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.3 mOhm @ 100A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

375W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

दुसरे नाम

296-49604-2
CSD19506KTT-ND

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

2 (1 Year)

निर्माता मानक लीड टाइम

35 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

12200pF @ 40V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

156nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

6V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

80V

विस्तृत विवरण

N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

200A (Ta)