NP34N055SLE-E1-AY

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NP34N055SLE-E1-AY
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NP34N055SLE-E1-AY.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-252 (MP-3ZK)
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

18 mOhm @ 17A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.2W (Ta), 88W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
परिचालन तापमान

175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3000pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

72nC @ 5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

55V
विस्तृत विवरण

N-Channel 55V 34A (Ta) 1.2W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

34A (Ta)

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NP3100SEMCT3G

विवरण: THYRISTOR 275V SMB

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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