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52589M29F200BB50N3 छविSTMicroelectronics

M29F200BB50N3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    M29F200BB50N3
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    M29F200BB50N3.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    50ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.5 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TSOP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Mb (256K x 8, 128K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 2Mb (256K x 8, 128K x 16) Parallel 50ns 48-TSOP
  • आधार भाग संख्या
    M29F200B
  • अभिगम समय
    50ns
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  • शिपिंग
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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M29F160FT5AN6E2

M29F160FT5AN6E2

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M29F200BB70N6T TR

M29F200BB70N6T TR

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निर्माता: Micron Technology
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M29F200BT70N6E

M29F200BT70N6E

विवरण: IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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M29F200BT70M6E

M29F200BT70M6E

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M29F200FB55N3E2

M29F200FB55N3E2

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M29F160FB5AN6E2

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M29F200BT70N1

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M29F160FB55N3F2 TR

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M29F160FB5AN6F2 TR

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M29F160FB5KN3E2 TR

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M29F200BB70N6E

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M29F160FT55N3F2 TR

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M29F160FB5KN3E2

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M29F200BB70N6

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M29F200FB55M3E2

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M29F160FT55N3E2

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M29F200BB45N1

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