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NAND01GW3B2AN6F

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    NAND01GW3B2AN6F
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    NAND01GW3B2AN6F.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    30ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TSOP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (128M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 30ns 48-TSOP
  • आधार भाग संख्या
    NAND01G
  • अभिगम समय
    30ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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NAND01GR3B2CZA6E

NAND01GR3B2CZA6E

विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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NAND01GW3B2BZA6E

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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NAND01GW3B2CZA6E

NAND01GW3B2CZA6E

विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Micron Technology
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NAND04GR3B2DN6E

NAND04GR3B2DN6E

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

निर्माता: Micron Technology
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NAND02GW3B2DZA6E

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विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

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NAND02GAH0LZC5E

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NAND01GW4B2AN6E

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NAND01GR3B2BZA6E

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NAND04GW3B2DN6E

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NAND02GW3B2AN6F

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NAND01GW3B2AN6E

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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NAND02GR3B2DN6E

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विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

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NAND02GR3B2DZA6E

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NAND02GW3B2DN6E

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NAND01GW3A0AN6E

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NAND01GW3B2AZA6E

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NAND02GAH0IZC5E

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NAND01GW3A2AN6E

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NAND01GW3B2CN6E

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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