STB12NK80ZT4

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STB12NK80ZT4

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

STB12NK80ZT4.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4.5V @ 100µA

वीजीएस (मैक्स)

±30V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

D2PAK

शृंखला

SuperMESH™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

750 mOhm @ 5.25A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

190W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

दुसरे नाम

497-4320-2

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

38 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2620pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

87nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

800V

विस्तृत विवरण

N-Channel 800V 10.5A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10.5A (Tc)