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2918289STD10LN80K5 छविSTMicroelectronics

STD10LN80K5

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STD10LN80K5
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STD10LN80K5.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5V @ 100µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DPAK
  • शृंखला
    MDmesh™ K5
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    630 mOhm @ 4A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    110W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    427pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    15nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    800V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 800V 8A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    8A (Tc)
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  • शिपिंग
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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विवरण: MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

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STD10100TR

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 60V DPAK

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK

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STD10P6F6

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विवरण: MOSFET P CH 60V 10A DPAK

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विवरण: N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

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विवरण: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK

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STD10N60M2

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विवरण: MOSFET N-CH 600V DPAK

निर्माता: STMicroelectronics
स्टॉक में
RFQ
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