STD8NM60ND

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STD8NM60ND
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

STD8NM60ND.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DPAK
शृंखला

FDmesh™ II
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

700 mOhm @ 3.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

70W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
दुसरे नाम

497-8775-2
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

560pF @ 50V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

22nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

600V
विस्तृत विवरण

N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7A (Tc)

निम्नलिखित "STD8NM60ND" संबंधित उत्पाद हैं।

STD8N60DM2

विवरण: N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

निर्माता: STMicroelectronics

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