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1086484STGD10NC60KT4 छविSTMicroelectronics

STGD10NC60KT4

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STGD10NC60KT4
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 600V 20A 60W DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STGD10NC60KT4.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    600V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    2.5V @ 15V, 5A
  • परीक्षण स्थिति
    390V, 5A, 10 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    17ns/72ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    55µJ (on), 85µJ (off)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DPAK
  • शृंखला
    PowerMESH™
  • पावर - मैक्स
    60W
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    -
  • गेट प्रभारी
    19nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT 600V 20A 60W Surface Mount DPAK
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    30A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    20A
  • आधार भाग संख्या
    STG*10NC
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  • शिपिंग
  • भुगतान

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STGB7NC60HDT4

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STGD10NC60HT4

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विवरण: IGBT 600V 20A 60W DPAK

निर्माता: STMicroelectronics
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STGD1100LT1G

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विवरण: MOSFET N-CH 20V 3.3A SC74

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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STGD10NC60ST4

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STGD18N40LZT4

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STGBL6NC60DT4

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STGD10NC60SDT4

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विवरण: IGBT 600V 18A 60W DPAK

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STGD10NC60KDT4

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विवरण: IGBT 600V 20A 62W DPAK

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STGB7NC60HT4

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विवरण: IGBT 390V 25A 125W DPAK

निर्माता: STMicroelectronics
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RFQ
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