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STGP3NB60F

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STGP3NB60F
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 600V 6A 68W TO220
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STGP3NB60F.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    600V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    2.4V @ 15V, 3A
  • परीक्षण स्थिति
    480V, 3A, 10 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    12.5ns/105ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    125µJ (off)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220AB
  • शृंखला
    PowerMESH™
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    45ns
  • पावर - मैक्स
    68W
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3
  • दुसरे नाम
    497-2653-5
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    -
  • गेट प्रभारी
    16nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT 600V 6A 68W Through Hole TO-220AB
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    24A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    6A
  • आधार भाग संख्या
    STG*3NB
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
शिपिंग
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STGP4M65DF2

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STGP3NB60FD

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विवरण: IGBT 600V 6A 68W TO220

निर्माता: STMicroelectronics
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STGP6M65DF2

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निर्माता: STMicroelectronics
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STGP30NC60K

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STGP6NC60H

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STGP30V60F

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