STH315N10F7-6

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STH315N10F7-6

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

STH315N10F7-6.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4.5V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

H2PAK-6

शृंखला

DeepGATE™, STripFET™ VII

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.3 mOhm @ 60A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

315W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

दुसरे नाम

497-14719-1

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

38 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

12800pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

180nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V

विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

180A (Tc)