STH320N4F6-2

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STH320N4F6-2

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

STH320N4F6-2.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

H²PAK

शृंखला

DeepGATE™, STripFET™ VI

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.3 mOhm @ 80A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

300W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

दुसरे नाम

497-13875-1

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

38 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

13800pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

240nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V

विस्तृत विवरण

N-Channel 40V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

200A (Tc)