STL8DN6LF6AG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STL8DN6LF6AG

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

1.STL8DN6LF6AG.pdf
2.STL8DN6LF6AG.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PowerFlat™ (5x6)

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, STripFET™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

27 mOhm @ 9.6A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

4.8W (Ta), 55W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerVDFN

दुसरे नाम

497-16504-2

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

38 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1340pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

27nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V

विस्तृत विवरण

N-Channel 60V 32A (Tc) 4.8W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

32A (Tc)