STPSC806G-TR

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जांच ऑनलाइन

विशेष विवरण

भाग संख्या

STPSC806G-TR
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE SCHOTTKY 600V 8A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

STPSC806G-TR.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.7V @ 8A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

600V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D²PAK
गति

No Recovery Time > 500mA (Io)
शृंखला

-
रिवर्स वसूली समय (trr)

0ns
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

497-11210-1
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-40°C ~ 175°C
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Silicon Carbide Schottky
विस्तृत विवरण

Diode Silicon Carbide Schottky 600V 8A Surface Mount D²PAK
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

100µA @ 600V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

8A
समाई @ वीआर, एफ

450pF @ 0V, 1MHz
आधार भाग संख्या

STPSC806

निम्नलिखित "STPSC806G-TR" संबंधित उत्पाद हैं।

STPTIC-27F1M6

विवरण: IC TUNABLE CAP RF BST 6UQFN

निर्माता: STMicroelectronics

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