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4846470STU27N3LH5 छविSTMicroelectronics

STU27N3LH5

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STU27N3LH5
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STU27N3LH5.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±22V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    I-PAK
  • शृंखला
    STripFET™ V
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    20 mOhm @ 13.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    30W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    475pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    4.6nC @ 5V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 30V 27A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    27A (Tc)
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STU150N3LLH6

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STU2N95K5

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विवरण: MOSFET N-CH 950V 2A IPAK

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STU13NM60N

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STU2LN60K3

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STU25N10F7

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विवरण: MOSFET N-CHANNEL 100V 25A IPAK

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STU16N65M5

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 12A IPAK

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STU13005N

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विवरण: TRANS NPN 400V 3A IPAK

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