VND10BSPTR-E

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विशेष विवरण

भाग संख्या

VND10BSPTR-E
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

VND10BSPTR-E.pdf
ईसीएडी मॉडल
वोल्टेज - आपूर्ति (Vcc / Vdd)

Not Required
वोल्टेज - लोड

6 V ~ 26 V
स्विच प्रकार

General Purpose
प्रदायक डिवाइस पैकेज

10-PowerSO
शृंखला

-
आरडीएस ऑन (टाइप)

100 mOhm (Max)
अनुपात - इनपुट: आउटपुट

1:1
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
उत्पादन का प्रकार

N-Channel
उत्पादन विन्यास

High Side
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
आउटपुट की संख्या

2
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इंटरफेस

On/Off
इनपुट प्रकार

Non-Inverting
विशेषताएं

Status Flag
गलती सुरक्षा

Open Load Detect, Over Temperature
वर्तमान - आउटपुट (मैक्स)

3.4A
आधार भाग संख्या

VND10B

निम्नलिखित "VND10BSPTR-E" संबंधित उत्पाद हैं।

VND10N06TR-E

विवरण: MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK

निर्माता: STMicroelectronics

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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

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