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GPA806HC0G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GPA806HC0G
  • निर्माता / ब्रांड
    Taiwan Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    GPA806HC0G.pdf
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 8A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    800V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220AC
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-2
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 800V 8A Through Hole TO-220AC
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 800V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    8A
  • समाई @ वीआर, एफ
    50pF @ 4V, 1MHz
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GPAS1004 MNG

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GPA806 C0G

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GPA804HC0G

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GPA805-BP

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GPA804-BP

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GPA807HC0G

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GPAS1006 MNG

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GPA804DT-TP

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विवरण: DIODE GPP 8A TO220AC

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
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GPA807DT-TP

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विवरण: DIODE GPP 8A D2PAK

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GPAS1003 MNG

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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GPA806DT-TP

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विवरण: DIODE GPP 8A D2PAK

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GPA805DT-TP

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विवरण: DIODE GPP 8A D2PAK

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
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RFQ
GPAS1005 MNG

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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GPA805 C0G

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GPA807 C0G

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