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SemiQ

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परिचय

SemiQ - ग्लोबल पावर टेक्नोलॉजीज ग्रुप, इंक। ("जीपीटीजी") 2007 में स्थापित एक एकीकृत विकास और विनिर्माण कंपनी है जो सिलिकॉन कार्बाइड (सीआईसी) प्रौद्योगिकियों के आधार पर उत्पादों को समर्पित है। ये उत्पाद भविष्य के वर्षों में बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स और ऊर्जा उद्योगों के लिए आधारभूत होंगे जहां कम लागत, अत्यधिक कुशल बिजली उत्पादन, रूपांतरण और संचरण के लिए उन्नत तकनीकों की आवश्यकता होती है।

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वर्ग
7
उत्पाद
373

असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद

GHIS030A060B2P2

GHIS030A060B2P2

विवरण: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GDP60Y120B

GDP60Y120B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M023A050N

GP2M023A050N

विवरण: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D005A120C

GP2D005A120C

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

विवरण: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D003A060C

GP2D003A060C

विवरण: DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD100A012S1-D3

GSXD100A012S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M013A050F

GP2M013A050F

विवरण: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GDP06S060D

GDP06S060D

विवरण: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M005A050PG

GP2M005A050PG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GCMS007A120S7B1

GCMS007A120S7B1

विवरण: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF060A020S1-D3

GSXF060A020S1-D3

विवरण: DIODE FAST REC 200V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

विवरण: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD050A020S1-D3

GSXD050A020S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M015A050FH

GP1M015A050FH

विवरण: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M011A050H

GP1M011A050H

विवरण: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHXS015A120S-D4

GHXS015A120S-D4

विवरण: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M010A080H

GP1M010A080H

विवरण: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD060A006S1-D3

GSXD060A006S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF060A100S1-D3

GSXF060A100S1-D3

विवरण: DIODE FAST REC 1000V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF120A020S1-D3

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विवरण: DIODE FAST REC 200V 120A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D008A120C

GP2D008A120C

विवरण: DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF120A100S1-D3

GSXF120A100S1-D3

विवरण: DIODE FAST REC 1000V 120A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

विवरण: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSID150A120S6A4

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विवरण: SILICON IGBT MODULES

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M010A080FH

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विवरण: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

विवरण: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M007A080F

GP2M007A080F

विवरण: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M005A060HG

GP2M005A060HG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

विवरण: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHXS050A060S-D3

GHXS050A060S-D3

विवरण: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD060A010S1-D3

GSXD060A010S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHIS030A120S-A2

GHIS030A120S-A2

विवरण: IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHIS060A120S-A1

GHIS060A120S-A1

विवरण: IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD080A008S1-D3

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विवरण: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXF100A040S1-D3

GSXF100A040S1-D3

विवरण: DIODE FAST REC 400V 100A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M003A090C

GP1M003A090C

विवरण: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHXS030A120S-D1

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विवरण: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP1M016A060N

GP1M016A060N

विवरण: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2D050A120B

GP2D050A120B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

विवरण: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GSXD050A006S1-D3

GSXD050A006S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHIS060A060S-A1

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विवरण: IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

विवरण: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP3D060A120B

GP3D060A120B

विवरण: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GP2M020A050F

GP2M020A050F

विवरण: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
GHIS080A060S1-E1

GHIS080A060S1-E1

विवरण: IGBT 600V 160A SOT227

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GSXD080A015S1-D3

GSXD080A015S1-D3

विवरण: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227

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