29 अगस्त, 2024 को, SK Hynix ने छठी पीढ़ी 10 नैनोमीटर (1C) प्रक्रिया का उपयोग करके 16GB (गीगाबिट) DDR5 DRAM के दुनिया के पहले सफल विकास की घोषणा की।नतीजतन, कंपनी ने दुनिया को अपनी अल्ट्रा फाइन स्टोरेज तकनीक का प्रदर्शन किया है, जिसमें सिर्फ 10 से अधिक नैनोमीटर के व्यास के साथ है।
SK Hynix ने जोर देकर कहा, "10 नैनोमीटर DRAM प्रौद्योगिकी के पीढ़ी के प्रसारण से पीढ़ी के साथ, माइक्रोफैब्रिकेशन की कठिनाई भी बढ़ गई है। हालांकि, कंपनी ने पांचवीं पीढ़ी (1B) तकनीक के आधार पर अपने डिजाइन पूरा होने में सुधार किया है, जो अपने उच्चतम प्रदर्शन के लिए मान्यता प्राप्त है, जो इसके उच्चतम प्रदर्शन के लिए मान्यता प्राप्त है, जो अपने उच्चतम प्रदर्शन में अपने उच्चतम प्रदर्शन के लिए मान्यता प्राप्त है।उद्योग, और तकनीकी सीमाओं के माध्यम से तोड़ने का नेतृत्व किया है।
कंपनी ने 1B DRAM प्लेटफॉर्म का विस्तार करके 1C प्रक्रिया विकसित की।SK Hynix प्रौद्योगिकी टीम का मानना है कि यह न केवल प्रक्रिया उन्नयन की प्रक्रिया के दौरान परीक्षण और त्रुटि की संभावना को कम कर सकता है, बल्कि SK Hynix 1B प्रक्रिया लाभ को प्रभावी ढंग से स्थानांतरित कर सकता है, जिसे उद्योग में इसके उच्चतम प्रदर्शन DRAM के लिए मान्यता प्राप्त है,1 सी प्रक्रिया।
इसके अलावा, SK Hynix ने कुछ EUV प्रक्रियाओं में नई सामग्रियों को विकसित और लागू किया है, और पूरी प्रक्रिया में EUV लागू प्रक्रियाओं को अनुकूलित किया है, जिससे लागत प्रतिस्पर्धा सुनिश्चित होती है।इसी समय, 1C प्रक्रिया में डिजाइन प्रौद्योगिकी नवाचार भी किया गया है, और पिछली पीढ़ी 1B प्रक्रिया के साथ तुलना में, इसकी उत्पादकता में 30%से अधिक की वृद्धि हुई है।
यह 1C DDR5 DRAM मुख्य रूप से उच्च-प्रदर्शन डेटा केंद्रों में उपयोग किया जाएगा, जिसमें 8Gbps (8 गीगाबिट प्रति सेकंड) की गति के साथ, पिछली पीढ़ी की तुलना में गति में 11% की वृद्धि होती है।इसके अलावा, ऊर्जा दक्षता में भी 9%से अधिक की वृद्धि हुई है।एआई युग के आगमन के साथ, डेटा केंद्रों की बिजली की खपत में वृद्धि जारी है।यदि क्लाउड सेवाओं का संचालन करने वाले वैश्विक ग्राहक अपने डेटा केंद्रों में SK Hynix 1C DRAM को अपनाते हैं, तो कंपनी भविष्यवाणी करती है कि उनके बिजली के बिल को 30%तक कम किया जा सकता है।
SK Hynix DRAM DEVELVONATION के उपाध्यक्ष किम जोंग ह्वान ने कहा, "1C प्रक्रिया प्रौद्योगिकी उच्चतम प्रदर्शन और लागत प्रतिस्पर्धा को जोड़ती है, और कंपनी इसे HBM *, LPDDR6 *, GDDR7 *और अन्य उन्नत DRAM मुख्य उत्पाद समूहों की नवीनतम पीढ़ी पर लागू करती है।इस तरह से ग्राहकों को विभेदित मूल्य प्रदान करता है।
*एचबीएम (उच्च बैंडविड्थ मेमोरी): एक उच्च मूल्य वर्धित, उच्च-प्रदर्शन उत्पाद जो कई डीआरएएम को जोड़ता है और डीआरएएम की तुलना में डेटा प्रोसेसिंग गति में काफी सुधार करता है।HBM DRAM उत्पादों को HBM (पहली पीढ़ी) - HBM2 (दूसरी पीढ़ी) - HBM2E (तीसरी पीढ़ी) - HBM3 (चौथी पीढ़ी) - HBM3E (पांचवीं पीढ़ी) - HBM4 (छठी पीढ़ी) - HBM4E (सातवीं पीढ़ी) - HBM3E (पांचवीं पीढ़ी) के क्रम में विकसित किया जाता है।।
*LPDDR (कम पावर डबल डेटा रेट): यह एक DRAM विनिर्देश है जिसका उपयोग मोबाइल उत्पादों जैसे स्मार्टफोन और टैबलेट में किया जाता है, जिसमें बिजली की खपत को कम करने और कम वोल्टेज ऑपरेशन की विशेषता है।विनिर्देश का नाम LP (कम शक्ति) है, और नवीनतम विनिर्देश LPDDR सातवीं पीढ़ी (5x) है, जिसे 1-2-3-3-4x-5x-6 के क्रम में विकसित किया गया है।
*GDDR (ग्राफिक्स DDR, ग्राफिक्स के लिए डबल डेटा ट्रांसफर रेट मेमोरी): इंटरनेशनल सेमीकंडक्टर डिवाइस स्टैंडर्ड्स ऑर्गनाइजेशन (JEDEC) द्वारा निर्दिष्ट ग्राफिक्स के लिए एक मानक DRAM विनिर्देश।विशेष रूप से ग्राफिक्स प्रसंस्करण के लिए डिज़ाइन किया गया एक विनिर्देश, उत्पादों की यह श्रृंखला 3, 5, 5x, 6, और 7. के क्रम में विकसित की गई है। नई श्रृंखला, जितनी तेजी से यह चलता है और इसकी ऊर्जा दक्षता अधिक होती है।इस उत्पाद ने ग्राफिक्स और आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस के क्षेत्रों में व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली उच्च-प्रदर्शन मेमोरी के रूप में ध्यान आकर्षित किया है।
