2N5306

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विशेष विवरण

भाग संख्या

2N5306
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

2N5306.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

25V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

1.4V @ 200µA, 200mA
ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN - Darlington
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-92-3
शृंखला

-
पावर - मैक्स

625mW
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
आवृत्ति - संक्रमण

-
विस्तृत विवरण

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 25V 1.2A 625mW Through Hole TO-92-3
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

7000 @ 2mA, 5V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

100nA (ICBO)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

1.2A
आधार भाग संख्या

2N5306

निम्नलिखित "2N5306" संबंधित उत्पाद हैं।

2N5246_J35Z

विवरण: JFET N-CH 30V 7MA TO92

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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