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2SD1816S-E

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    2SD1816S-E
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS NPN 100V 4A TP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    100V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    400mV @ 200mA, 2A
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TP
  • शृंखला
    -
  • पावर - मैक्स
    1W
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    2 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    180MHz
  • विस्तृत विवरण
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 4A 180MHz 1W Through Hole TP
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    70 @ 500mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    1µA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    4A
  • आधार भाग संख्या
    2SD1816
2SD1816S-H

2SD1816S-H

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निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SD1816T-TL-E

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विवरण: TRANS NPN 100V 4A TP-FA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SD1815S-H

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विवरण: TRANS NPN 100V 3A TP

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SD1816S-TL-H

2SD1816S-TL-H

विवरण: TRANS NPN 100V 4A TP-FA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SD1805G-TL-E

2SD1805G-TL-E

विवरण: TRANS NPN 20V 5A TP-FA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
2SD1816T-E

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विवरण: TRANS NPN 100V 4A TP

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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2SD1819AQL

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