BAS116LT1G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BAS116LT1G

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

BAS116LT1G.pdf

वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.25V @ 150mA

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

75V

प्रदायक डिवाइस पैकेज

SOT-23-3 (TO-236)

गति

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

शृंखला

-

रिवर्स वसूली समय (trr)

3µs

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

दुसरे नाम

BAS116LT1GOSCT

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

36 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

डायोड प्रकार

Standard

विस्तृत विवरण

Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

5nA @ 75V

वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

200mA (DC)

समाई @ वीआर, एफ

2pF @ 0V, 1MHz

आधार भाग संख्या

BAS116

निम्नलिखित "BAS116LT1G" संबंधित उत्पाद हैं।

BAS116T-7

विवरण: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523

निर्माता: Diodes Incorporated

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अग्रिम पंजीकरण

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