BAV21_NT50A

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BAV21_NT50A
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

BAV21_NT50A.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.25V @ 200mA
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

250V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DO-35
गति

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
शृंखला

-
रिवर्स वसूली समय (trr)

50ns
पैकेजिंग

Tape & Box (TB)
पैकेज / प्रकरण

DO-204AH, DO-35, Axial
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

175°C (Max)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Standard
विस्तृत विवरण

Diode Standard 250V 200mA Through Hole DO-35
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

100nA @ 200V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

200mA
समाई @ वीआर, एफ

5pF @ 0V, 1MHz
आधार भाग संख्या

BAV21

निम्नलिखित "BAV21_NT50A" संबंधित उत्पाद हैं।

BAV21WS-G RRG

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)

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अग्रिम पंजीकरण

BAV21_NT50A

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