BAW76_T50R

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BAW76_T50R
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

BAW76_T50R.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1V @ 100mA
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

75V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DO-35
गति

Fast Recovery = 200mA (Io)
शृंखला

-
रिवर्स वसूली समय (trr)

4ns
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

DO-204AH, DO-35, Axial
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

175°C (Max)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Standard
विस्तृत विवरण

Diode Standard 75V 300mA Through Hole DO-35
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

100nA @ 50V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

300mA
समाई @ वीआर, एफ

2pF @ 0V, 1MHz

निम्नलिखित "BAW76_T50R" संबंधित उत्पाद हैं।

BAW76-TAP

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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