BSS123LT1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSS123LT1
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

1.BSS123LT1.pdf
2.BSS123LT1.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.8V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

SOT-23-3 (TO-236)
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

6 Ohm @ 100mA, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

225mW (Ta)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
दुसरे नाम

BSS123LT1OSCT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

20pF @ 25V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

170mA (Ta)

निम्नलिखित "BSS123LT1" संबंधित उत्पाद हैं।

BSS123W

विवरण: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-323

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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