DLN10C-AT1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

DLN10C-AT1
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

DLN10C-AT1.pdf
वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)

Standard
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1A
वोल्टेज - टूटने

-
शृंखला

-
RoHS स्थिति

Tape & Reel (TR)
रिवर्स वसूली समय (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
प्रतिरोध @, तो एफ

-
ध्रुवीकरण

R-1 (Axial)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

35ns
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
उत्पादक हिस्सा करमार्क

DLN10C-AT1
विस्तारित विवरण

Diode Standard 200V 1A Through Hole
डायोड विन्यास

10µA @ 200V
विवरण

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

980mV @ 1A
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)

200V
समाई @ वीआर, एफ

150°C (Max)

निम्नलिखित "DLN10C-AT1" संबंधित उत्पाद हैं।

US1MDFQ-13

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

निर्माता: Diodes Incorporated

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अग्रिम पंजीकरण

DLN10C-AT1

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