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FDD5614P

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FDD5614P

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 60V 15A DPAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

FDD5614P.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-252

शृंखला

PowerTrench®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

100 mOhm @ 4.5A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.8W (Ta), 42W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

FDD5614PTR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

16 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

759pF @ 30V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

24nC @ 10V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V

विस्तृत विवरण

P-Channel 60V 15A (Ta) 3.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

15A (Ta)

निम्नलिखित "FDD5614P" संबंधित उत्पाद हैं।

FDD4685_F085

विवरण: MOSFET P-CH 40V 32A DPAK

निर्माता: Fairchild/ON Semiconductor

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