FDH444_T50R

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FDH444_T50R
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

FDH444_T50R.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.2V @ 300mA
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

125V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DO-35
गति

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
शृंखला

-
रिवर्स वसूली समय (trr)

60ns
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

DO-204AH, DO-35, Axial
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

175°C (Max)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Standard
विस्तृत विवरण

Diode Standard 125V 200mA Through Hole DO-35
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

50nA @ 100V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

200mA
समाई @ वीआर, एफ

2.5pF @ 0V, 1MHz
आधार भाग संख्या

FDH444

निम्नलिखित "FDH444_T50R" संबंधित उत्पाद हैं।

FDH5500

विवरण: MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

FDH444_T50R

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