FDMA291P

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FDMA291P

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

FDMA291P.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±8V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-MicroFET (2x2)

शृंखला

PowerTrench®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

42 mOhm @ 6.6A, 4.5V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.4W (Ta)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

6-VDFN Exposed Pad

दुसरे नाम

FDMA291PCT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

39 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1000pF @ 10V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

14nC @ 4.5V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

1.8V, 4.5V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V

विस्तृत विवरण

P-Channel 20V 6.6A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

6.6A (Ta)

निम्नलिखित "FDMA291P" संबंधित उत्पाद हैं।

FDMA1032CZ

विवरण: MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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