FDS6675BZ

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FDS6675BZ

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

FDS6675BZ.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±25V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SO

शृंखला

PowerTrench®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

13 mOhm @ 11A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.5W (Ta)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

दुसरे नाम

FDS6675BZCT

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

26 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2470pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

62nC @ 10V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

P-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

11A (Ta)

आधार भाग संख्या

FDS6675

निम्नलिखित "FDS6675BZ" संबंधित उत्पाद हैं।

FDS6679AZ

विवरण: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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