FGA40T65SHDF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FGA40T65SHDF

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

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स्टॉक में

विवरण

IGBT 650V 80A 268W TO-3PN

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

FGA40T65SHDF.pdf

वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

650V

Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी

1.81V @ 15V, 40A

परीक्षण स्थिति

400V, 40A, 6 Ohm, 15V

टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस

18ns/64ns

स्विचिंग ऊर्जा

1.22mJ (on), 440µJ (off)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-3PN

शृंखला

-

रिवर्स वसूली समय (trr)

101ns

पावर - मैक्स

268W

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-3P-3, SC-65-3

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट प्रकार

Standard

आईजीबीटी प्रकार

Trench Field Stop

गेट प्रभारी

68nC

विस्तृत विवरण

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-3PN

वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)

120A

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

80A

निम्नलिखित "FGA40T65SHDF" संबंधित उत्पाद हैं।

FGA50T65SHD

विवरण: IGBT 650V 100A 319W TO-3PN

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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