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FGD3N60LSDTM-T

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FGD3N60LSDTM-T
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

INTEGRATED CIRCUIT
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

FGD3N60LSDTM-T.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

600V
Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी

1.5V @ 10V, 3A
परीक्षण स्थिति

480V, 3A, 470 Ohm, 10V
टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस

40ns/600ns
स्विचिंग ऊर्जा

250µJ (on), 1mJ (off)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-252, (D-Pak)
शृंखला

-
रिवर्स वसूली समय (trr)

234ns
पावर - मैक्स

40W
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट प्रकार

Standard
आईजीबीटी प्रकार

-
गेट प्रभारी

12.5nC
विस्तृत विवरण

IGBT 600V 6A 40W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)

25A
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

6A

निम्नलिखित "FGD3N60LSDTM-T" संबंधित उत्पाद हैं।

FGD07SCM200

विवरण: FIBRE GL STD 1MM DR 200CM

निर्माता: Carlo Gavazzi

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