FJE3303H2TU

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FJE3303H2TU

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

TRANS NPN 400V 1.5A TO126

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

FJE3303H2TU.pdf

वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

400V

Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी

3V @ 500mA, 1.5A

ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-126-3

शृंखला

-

पावर - मैक्स

20W

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-225AA, TO-126-3

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

आवृत्ति - संक्रमण

4MHz

विस्तृत विवरण

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 20W Through Hole TO-126-3

डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce

14 @ 500mA, 2V

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

10µA (ICBO)

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

1.5A

आधार भाग संख्या

FJE3303

निम्नलिखित "FJE3303H2TU" संबंधित उत्पाद हैं।

BUK9Y11-30B/C1,115

विवरण: MOSFET N-CH LFPAK

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale

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