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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FJN4306RTA
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 500µA, 10mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    PNP - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-92-3
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    10 kOhms
  • पावर - मैक्स
    300mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Box (TB)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    200MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
FJN4307RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FJN4309RTA

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FJN4302RBU

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FJN4304RBU

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

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FJN4305RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

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FJN4308RTA

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विवरण: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

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FJN4310RTA

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FJN4307RTA

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FJN4308RBU

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FJN4303RTA

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FJN4305RBU

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FJN4311RTA

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FJN4301RTA

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FJN4306RBU

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