FQB13N10LTM

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FQB13N10LTM
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

FQB13N10LTM.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D²PAK (TO-263AB)
शृंखला

QFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

180 mOhm @ 6.4A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.75W (Ta), 65W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

520pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

12nC @ 5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 12.8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

12.8A (Tc)

निम्नलिखित "FQB13N10LTM" संबंधित उत्पाद हैं।

FQB16N15TM

विवरण: MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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