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FQB25N33TM-F085

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FQB25N33TM-F085

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

FQB25N33TM-F085.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±30V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

D²PAK (TO-263AB)

शृंखला

Automotive, AEC-Q101

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

230 mOhm @ 12.5A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

3.1W (Ta), 250W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

दुसरे नाम

FQB25N33TM-F085-ND
FQB25N33TM-F085OSTR
FQB25N33TM_F085
FQB25N33TM_F085-ND

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2010pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

75nC @ 15V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

330V

विस्तृत विवरण

N-Channel 330V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

25A (Tc)

निम्नलिखित "FQB25N33TM-F085" संबंधित उत्पाद हैं।

FQB27N25TM-F085

विवरण: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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