FQD12N20LTM

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विशेष विवरण

भाग संख्या

FQD12N20LTM

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

1.FQD12N20LTM.pdf
2.FQD12N20LTM.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

D-Pak

शृंखला

QFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

280 mOhm @ 4.5A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

FQD12N20LTM-ND
FQD12N20LTMTR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

6 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1080pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

21nC @ 5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

200V

विस्तृत विवरण

N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

9A (Tc)

निम्नलिखित "FQD12N20LTM" संबंधित उत्पाद हैं।

FQD10N20TM

विवरण: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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