H11AG1TVM

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विशेष विवरण

भाग संख्या

H11AG1TVM

निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

H11AG1TVM.pdf

वोल्टेज - आउटपुट (मैक्स)

30V

वोल्टेज - अलगाव

4170Vrms

वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)

1.25V

Vce संतृप्ति (मैक्स)

400mV

चालू करें / बंद करें समय (टाइप)

5µs, 5µs

प्रदायक डिवाइस पैकेज

6-DIP

शृंखला

-

उठो / पतन समय (टाइप)

-

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

6-DIP (0.400", 10.16mm)

उत्पादन का प्रकार

Transistor with Base

परिचालन तापमान

-40°C ~ 100°C

चैनलों की संख्या

1

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट प्रकार

DC

विस्तृत विवरण

Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP

वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (न्यूनतम)

100% @ 1mA

वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (मैक्स)

-

वर्तमान - आउटपुट / चैनल

50mA

वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स)

50mA

निम्नलिखित "H11AG1TVM" संबंधित उत्पाद हैं।

H11AG1300W

विवरण: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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