HGT1S3N60A4DS9A

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विशेष विवरण

भाग संख्या

HGT1S3N60A4DS9A
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IGBT 600V 17A 70W D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

HGT1S3N60A4DS9A.pdf
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

600V
Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी

2.7V @ 15V, 3A
परीक्षण स्थिति

390V, 3A, 50 Ohm, 15V
टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस

6ns/73ns
स्विचिंग ऊर्जा

37µJ (on), 25µJ (off)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-263AB
शृंखला

-
रिवर्स वसूली समय (trr)

29ns
पावर - मैक्स

70W
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट प्रकार

Standard
आईजीबीटी प्रकार

-
गेट प्रभारी

21nC
विस्तृत विवरण

IGBT 600V 17A 70W Surface Mount TO-263AB
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)

40A
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

17A

निम्नलिखित "HGT1S3N60A4DS9A" संबंधित उत्पाद हैं।

HGT1S20N36G3VL

विवरण: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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