HUFA75309D3S

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विशेष विवरण

भाग संख्या

HUFA75309D3S
निर्माता / ब्रांड

AMI Semiconductor/onsemi
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

HUFA75309D3S.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-252AA
शृंखला

UltraFET™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

70 mOhm @ 19A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

55W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

350pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

24nC @ 20V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

55V
विस्तृत विवरण

N-Channel 55V 19A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

19A (Tc)

निम्नलिखित "HUFA75309D3S" संबंधित उत्पाद हैं।

HUFA75307T3ST

विवरण: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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